世界快资讯丨三星表示2030年V-NAND可以叠加到1000多层

世界快资讯丨三星表示2030年V-NAND可以叠加到1000多层

6 月 30 日消息,根据韩媒 The Elec 报道,三星存储业务高管近日参加了电子工程师协会 2023 年夏季会议,表示 2030 年 V-NAND 可以叠加到 1000 多层。

三星预测 V-NAND 的竞争将持续到 1000 层以上。三星于 2013 年推出 24 层开始,在过去 10 年间,已经发展到 200 多层。

IT之家注:三星最初推出的 V-NAND 每个 die 容量都有 128Gb(16GB),通过 3D 堆叠技术可以实现最多 24 层 die 堆叠,这意味着 24 层堆叠的总容量将达到 384GB。

三星高管表示正因为 V-NAND 的存在,延续了 NAND 的历史,是韩国国家创造技术和生态系统的少数成功事例。

三星高管表示为了推动 1000 层的 NAND 技术,就像建设摩天大楼一样,需要考虑坍塌、弯曲、断裂等诸多稳定性问题,此外还需要克服连接孔加工工艺、最小化电池干扰、缩短层高以及扩大每层存储容量等挑战。

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